9月6日，第三代半导体产业创新发展大会在南京市江宁开发区举办。国家第三代半导体技术创新中心(南京)一期项目竣工投产。

 

　　国家第三代半导体技术创新中心(南京)主任陈辰介绍，经过了解调研，该中心排出国家重点需求在新能源轿车、光伏、轨道交通、高压输变电、智能电网等五大跑道，确定了攻坚“新能源轿车用高电流密度高牢靠碳化硅MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品”和“面向智能电网和高铁使用的高压大功率碳化硅电力电子器件”两大方向，从碳化硅电力电子的基础理论、资料生长、器件制备、系统使用等四个方面，联合生态伙伴们一道攻关。

 

　　该中心一期项目依托中电集团55所原有厂房区域，以存量带增量的方法，打造6英寸SiC(碳化硅)电力电子器件研发与中试平台，在国内首先打破6英寸碳化硅MOSFET批量生产技术，构成具有自主知识产权的碳化硅器件技术系统。二期项目计划于2024年开建，工厂将打造8英寸第三代半导体芯片制造、先进晶圆封装、模块封装平台。

 

　　活动现场会集签约的10个项目，构成了从装备到资料、芯片、模组、封装检测及下游使用的产业链布局。